PHI Genesis 简介
简介
PHI Genesis (Model 500 for XPS / Model 900 for HAXPES) 是最新一代配置了全自动多功能扫描聚焦X 射线光电子能谱，易操作式多功能选配附件，能够实现全自动样品传送停放，同时还具备高性能大面积和微区XPS 分析，快速精准深度剖析，为电池、半导体、有机器件以及其他各领域提供全面解决方案。
关键技术
- 易操作式多功能选配附件
- 全自动样品传送停放
- 高性能大面积和微区XPS 分析
- 快速精准深度剖析
- 为电池、半导体、有机器件以及其他各领域提供全面解决方案
简单易操作
PHI GENESIS 提供了一种全新的用户体验，仪器高性能、全自动化、简单易操作。
操作界面可在同一个屏幕内设置常规和高级的多功能测试参数，同时保留诸如进样照片导航和SXI 二次电子影
像精准定位等功能。
简单友好的用户界面
PHI GENESIS 提供了一个简单、直观且易于操作的用户界面，对于操作人员非常友好，操作人员执行简单的设置操作即可完成包括所有选配附件在内的自动化分析。
多功能选配附件
原位的多功能自动化分析，涵盖了从LEIPS 测试导带到HAXPES 芯能级激发的全范围技术，相比于传统的XPS 而言，PHI GENESIS 体现了前所未有的性能价值。
全面的优良解决方案：
高性能XPS、UPS、LEIPS、REELS、AES、GCIB 及多种其他选配附件可以满足所有表面分析需求。
多数量样品大面积分析
- 把制备好样品的样品托放进进样腔室后将自动传送进分析腔室内
- 可同时使用三个样品托
- 80mm×80mm 的大样品托可放置多数量样品
- 可分析粉末、粗糙表面、绝缘体、形状复杂等各种各样的样品
标准样品托 40mm×40mm
⼤样品托 80mm×80mm
全自动多样品传送平台
独一无二的可聚焦≤ 5μm 的微区X 射线束斑
在PHI GENESIS 中，聚焦扫描X 射线源可以激发二次电子影像（SXI），利用二次电子影像可以进行导航、精准零误差定位、多点多区域同时分析测试以及深度剖析。
5 μm SXI
10 μm SXI
大幅提升的二次电子影像（SXI）
二次电子影像（SXI）精准零误差定位，保证了所见即所得。卓越的5μmX 射线束斑为微区XPS分析应用提供了新的机遇。
快速深度剖析
PHI GENESIS 可实现高性能的深度剖析。聚焦X 射线源、高灵敏度探测器、高性能氩离子枪和高效双束中和系统可实现全自动深度剖析，包括在同一个溅射刻蚀坑内进行多点同时分析。
高性能的深度剖析能力
( 下图左) 全固态电池薄膜的深度剖析。深度剖面清晰地显示了在2.0 μm 以下富Li 界面的存在。
( 下图右) 在LiPON 膜沉积初期，可以看到氧从LiCoO2 层转移到LiPON 层中，使Co 在LoCoO2 层富Li 界面由氧化态还原为金属态。
角分辨XPS 分析
PHI GENESIS XPS 的高灵敏度微区分析和高度可重现的中和性能确保了对样品角分辨分析的卓越性能。另外，样品倾斜和样品旋转相结合，可同时实现角度的高分辨率和能量的高分辨率。
无需溅射刻蚀的深度探索
下一代透明发光材料使用直径约为10nm~50nm 的纳米量子点（QDs），结合使用XPS（Al Kα X 射线）和HAXPES（Cr Kα X 射线）对同一微观特征区域进行分析，可以对QDs 进行详细的深度结构分析。XPS 和HAXPES 的结合使用，可以对纳米颗粒进行深度分辨、定量和化学态分析，从而避免离子束溅射引起的损伤。
深层界面的分析
在两种x 射线源中，只有Cr Ka XPS 能探测到Y2O3 下方距离表面14nm 处的Cr层。拟合后的谱图确定了Cr 的化学态。另外，通过比较，光电子起飞角90°和30°的Cr Kα 谱图结果发现在较浅( 表面灵敏度更高) 的起飞角时，氧化物的强度较高，表明Cr 氧化物处于Y2O3 和Cr 层之间的界面。
内核电子的探测
Cr Kα 提供了额外的Al Kα 不能获取的内核电子。基于Cr Kα 的高能光电子，通常有多个额外的跃迁可用于分析。
应用领域
主要应用于电池、半导体、光伏、新能源、有机器件、纳米颗粒、催化剂、金属材料、聚合物、陶瓷等固体材
料及器件领域。
用于全固态电池、半导体、光伏、催化剂等领域的先进功能材料都是复杂的多组分材料，其研发依赖于化学结
构到性能的不断优化。ULVAC-PHI,Inc. 提供的全新表面分析仪器“PHI GENESIS” 全自动多功能扫描聚焦X 射线
光电子能谱仪，具有卓越性能、高自动化和灵活的扩展能力，可以满足客户的所有分析需求。
PHI GENESIS 多功能分析平台在各种研究领域的应⽤
电池 (AES + Transfer Vessel)
“LiPON/LiCoO2 横截面的 pA-AES Li 化学成像”
Li 基材料例如LiPON，对电子束辐照敏感。
PHI GENESIS 提供的高灵敏度能量分析器可以在低束流（300pA）下快速获取AES 化学成像。
有机器件 (UPS / LEIPS + GCIB)
使用UPS/LEIPS 和Ar-GCIB 测量能带结构
（1）C60 薄膜表面
（2）C60 薄膜表面清洁后
（3）C60 薄膜/Au 界面
（4）Au 表面
通过UPS/LEIPS 分析和Ar-GCIB 深度剖析可以确定有机层的能级结构。
半导体 (XPS + HAXPES)
半导体器件通常由包含许多元素的复杂薄膜组成，它们的研发通常需要对界面处的化学态进行无损分析。为了从深层界面获取信息，例如栅极氧化膜下的GaN，使用HAXPES 是非常有必要的。
微电子 (HAXPES)
微小焊锡点分析
HAXPES 分析数据显示金属态Sn 的含量高于XPS 分析数据，这是由于Sn 球表面被氧化，随着深度的加深，金属态Sn的含量越高，正好符合HAXPES 分析深度比XPS 深的特点。
多功能选配附件
- UPS 紫外光电子能谱
- LEIPS 低能反光电子能谱
- AES/SAM 俄歇电子能谱
- REELS 反射式能量损失谱
- 双阳极X 射线源（Mg/Zr、Mg/Al）
- Ar-GCIB 氩团簇离子源
- Ar-GCIB 簇大小测量工具
- C60 团簇离子源 （20KV）
- 样品加热冷却模块
- 4 电触点加热冷却模块
- 样品保护传送模块
- SPS 样品定位系统等等
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